Un transistor de unión bipolar (BJT) es un tipo de transistor que utiliza electrones y huecos de electrones como portadores de carga. Por el contrario, un transistor unipolar, como un transistor de efecto de campo, utiliza solo un tipo de portador de carga. Un transistor bipolar permite que una pequeña corriente inyectada en uno de sus terminales controle una corriente mucho mayor que fluye entre los terminales, lo que hace que el dispositivo sea capaz de amplificación o conmutación.

Los BJT utilizan dos uniones entre dos tipos de semiconductores, tipo n y tipo p, que son regiones en un solo cristal de material. Las uniones se pueden hacer de varias maneras diferentes, como cambiar el dopaje del material semiconductor a medida que crece, depositando gránulos de metal para formar uniones de aleación, o mediante métodos tales como la difusión de sustancias dopantes de tipo n y tipo p en el cristal La previsibilidad y el rendimiento superiores de los transistores de unión desplazaron rápidamente al transistor original de punto de contacto. Los transistores difusos, junto con otros componentes, son elementos de circuitos integrados para funciones analógicas y digitales. Se pueden fabricar cientos de transistores de unión bipolar en un circuito a muy bajo costo.

Los circuitos integrados de transistores bipolares fueron los principales dispositivos activos de una generación de computadoras centrales y minicomputadoras, pero la mayoría de los sistemas informáticos ahora usan circuitos integrados que se basan en transistores de efecto de campo. Los transistores bipolares todavía se utilizan para la amplificación de señales, conmutación y circuitos digitales. Los tipos especializados se utilizan para interruptores de alto voltaje, para amplificadores de radiofrecuencia o para conmutar corrientes altas.

William Bradford Shockley Jr. (13 de febrero de 1910 - 12 de agosto de 1989) fue un físico e inventor estadounidense. Era el gerente de un grupo de investigación en Bell Labs que incluía a John Bardeen y Walter Brattain. Los tres científicos recibieron conjuntamente el Premio Nobel de Física de 1956 por "sus investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor".

En parte como resultado de los intentos de Shockley de comercializar un nuevo diseño de transistor en las décadas de 1950 y 1960, el "Silicon Valley" de California se convirtió en un hervidero de innovación electrónica. En su vida posterior, mientras era profesor de ingeniería eléctrica en la Universidad de Stanford, Shockley se convirtió en un defensor de la eugenesia. Un estudio de 2019 en la revista Intelligence encontró que él es el segundo investigador de inteligencia más controvertido (detrás de Arthur Jensen) entre las 55 personas cubiertas.