Robert H. Dennard, ingeniero eléctrico e inventor estadounidense
Robert Dennard (nacido el 5 de septiembre de 1932) es un ingeniero eléctrico e inventor estadounidense.

Dennard nació en Terrell, Texas, EE. UU. Recibió su B.S. y M. S. grados en Ingeniería Eléctrica de la Universidad Metodista del Sur, Dallas, en 1954 y 1956, respectivamente. Obtuvo un Ph.D. del Carnegie Institute of Technology en Pittsburgh, Pensilvania, en 1958. Desarrolló su carrera profesional como investigador para International Business Machines.

En 1966 inventó la celda de memoria de un transistor que consiste en un transistor y un condensador para el cual se emitió una patente en 1968. Se convirtió en la base de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) actual. Dennard también estuvo entre los primeros en reconocer el tremendo potencial de reducir el tamaño de los MOSFET. La teoría de escalamiento que él y sus colegas formularon en 1974 postulaba que los MOSFET continúan funcionando como interruptores controlados por voltaje mientras mejoran todas las cifras clave de mérito, como la densidad del diseño, la velocidad de operación y la eficiencia energética, siempre que las dimensiones geométricas, los voltajes y las concentraciones de dopaje sean consistentemente escalado para mantener el mismo campo eléctrico. Esta propiedad subyace al logro de la Ley de Moore y la evolución de la microelectrónica en las últimas décadas.

En 1984, Dennard fue elegido miembro de la Academia Nacional de Ingeniería por su trabajo pionero en la tecnología FET, incluida la invención de la RAM dinámica de un transistor y sus contribuciones a la teoría de escala.