Robert H. Dennard , ingénieur électricien et inventeur américain
Robert Dennard (né le 5 septembre 1932) est un ingénieur électricien et inventeur américain.

Dennard est né à Terrell, Texas, États-Unis. Il a obtenu son B.S. et M.S. diplômes en génie électrique de la Southern Methodist University, Dallas, en 1954 et 1956, respectivement. Il a obtenu un doctorat. du Carnegie Institute of Technology à Pittsburgh, Pennsylvanie, en 1958. Sa carrière professionnelle s'est déroulée en tant que chercheur pour International Business Machines.

En 1966, il a inventé la cellule de mémoire à un transistor composée d'un transistor et d'un condensateur pour lequel un brevet a été délivré en 1968. Elle est devenue la base de la mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) d'aujourd'hui. Dennard a également été parmi les premiers à reconnaître l'énorme potentiel de la réduction de la taille des MOSFET. La théorie de la mise à l'échelle que lui et ses collègues ont formulée en 1974 postulait que les MOSFET continuaient de fonctionner comme des commutateurs commandés en tension tandis que tous les chiffres clés de mérite tels que la densité de disposition, la vitesse de fonctionnement et l'efficacité énergétique s'amélioraient - à condition que les dimensions géométriques, les tensions et les concentrations de dopage soient constamment mis à l'échelle pour maintenir le même champ électrique. Cette propriété est à la base de la réalisation de la loi de Moore et de l'évolution de la microélectronique au cours des dernières décennies.

En 1984, Dennard a été élu membre de la National Academy of Engineering pour son travail de pionnier dans la technologie FET, y compris l'invention de la RAM dynamique à un transistor et ses contributions à la théorie de la mise à l'échelle.