Герберт Кремер , немецко-американский физик, инженер и академик, лауреат Нобелевской премии.
Герберт Кремер ( немецкое произношение: [ˈhɛʁbɛʁt ˈkʁøːmɐ] (слушай); родился 25 августа 1928 г.) - немецко-американский физик, который вместе с Жоресом Алферовым получил Нобелевскую премию по физике в 2000 г. за «разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высоких скоростная и оптоэлектроника». Кремер является почетным профессором электротехники и вычислительной техники Калифорнийского университета в Санта-Барбаре, получив степень доктора философии. получил степень доктора теоретической физики в 1952 году в Геттингенском университете, Германия, защитив диссертацию об эффектах горячих электронов в тогда еще новом транзисторе. Его исследования транзисторов стали ступенькой к более позднему развитию технологий мобильных телефонов.

Кремер работал в ряде исследовательских лабораторий в Германии и США и преподавал электротехнику в Университете Колорадо с 1968 по 1976 год. основные кремниевые технологии. Вместе с Чарльзом Киттелем он стал соавтором учебника «Тепловая физика», впервые опубликованного в 1980 году и используемого до сих пор. Он также является автором учебника «Квантовая механика для инженерии, материаловедения и прикладной физики». Кремер был избран членом Национальной инженерной академии в 1997 году за концепцию транзистора и лазера на полупроводниковой гетероструктуре, а также за лидерство в технологии полупроводниковых материалов. . Он также был избран членом Национальной академии наук в 2003 году.

Он всегда предпочитал работать над проблемами, которые опережали основные технологии, изобретя дрейфовый транзистор в 1950-х годах и первым указав, что преимущества могут быть получены в различных полупроводниковых устройствах за счет включения гетеропереходов. Однако наиболее примечательно то, что в 1963 году он предложил концепцию лазера с двойной гетероструктурой, которая сейчас является центральной концепцией в области полупроводниковых лазеров. Кремер стал одним из первых пионеров молекулярно-лучевой эпитаксии, сосредоточившись на применении этой технологии к новым неиспытанным материалам.