Биполярный переходной транзистор (BJT) — это тип транзистора, в котором в качестве носителей заряда используются как электроны, так и электронные дырки. Напротив, униполярный транзистор, такой как полевой транзистор, использует только один вид носителей заряда. Биполярный транзистор позволяет небольшому току, подаваемому на один из его выводов, управлять гораздо большим током, протекающим между выводами, что делает устройство способным к усилению или переключению.

BJT используют два перехода между двумя типами полупроводников, n-типа и p-типа, которые представляют собой области в монокристалле материала. Переходы могут быть выполнены несколькими различными способами, такими как изменение легирования полупроводникового материала по мере его выращивания, осаждение металлических гранул для формирования сплавных переходов или такие методы, как диффузия легирующих веществ n-типа и p-типа в кристалл. Превосходная предсказуемость и производительность переходных транзисторов быстро вытеснили оригинальный точечный транзистор. Рассеянные транзисторы, наряду с другими компонентами, являются элементами интегральных схем аналогового и цифрового назначения. Сотни биполярных транзисторов могут быть изготовлены в одной схеме с очень низкими затратами.

Интегральные схемы на биполярных транзисторах были основными активными устройствами поколения мейнфреймов и мини-компьютеров, но в настоящее время в большинстве компьютерных систем используются интегральные схемы, основанные на полевых транзисторах. Биполярные транзисторы до сих пор используются для усиления сигналов, коммутации и в цифровых схемах. Специализированные типы используются для выключателей высокого напряжения, для усилителей радиочастоты или для коммутации больших токов.

Уильям Брэдфорд Шокли-младший (13 февраля 1910 г. - 12 августа 1989 г.) был американским физиком и изобретателем. Он был менеджером исследовательской группы в Bell Labs, в которую входили Джон Бардин и Уолтер Браттейн. Трое ученых были совместно удостоены Нобелевской премии по физике 1956 года за «исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта».

Отчасти в результате попыток Шокли коммерциализировать новую конструкцию транзистора в 1950-х и 1960-х годах «Кремниевая долина» в Калифорнии стала очагом инноваций в области электроники. В более позднем возрасте, будучи профессором электротехники в Стэнфордском университете, Шокли стал сторонником евгеники. Исследование, проведенное в 2019 году в журнале Intelligence, показало, что он был вторым по значимости (после Артура Дженсена) исследователем разведки среди 55 охваченных лиц.