晶体管首先在贝尔实验室进行演示。
晶体管是用于放大或切换电信号和功率的半导体器件。晶体管是现代电子产品的基本组成部分之一。它由半导体材料组成，通常具有至少三个用于连接电子电路的端子。施加到一对晶体管端子的电压或电流控制通过另一对端子的电流。因为受控（输出）功率可能高于控制（输入）功率，所以晶体管可以放大信号。一些晶体管是单独封装的，但更多的是嵌入在集成电路中。
奥匈帝国物理学家 Julius Edgar Lilienfeld 在 1926 年提出了场效应晶体管的概念，但当时还不可能真正构建出工作装置。第一个工作设备是美国物理学家约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿于 1947 年在贝尔实验室的威廉·肖克利手下工作时发明的点接触晶体管。三人因其成就分享了 1956 年的诺贝尔物理学奖。最广泛使用的晶体管类型是金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，它是由贝尔实验室的 Mohamed Atalla 和 Dawon Kahng 于 1959 年发明的。晶体管彻底改变了电子领域，并为更小尺寸的发展铺平了道路。以及更便宜的收音机、计算器和电脑等。
大多数晶体管由非常纯的硅制成，有些由锗制成，但有时也会使用某些其他半导体材料。在场效应晶体管中，晶体管可能仅具有一种电荷载流子，或者在双极结型晶体管器件中可能具有两种电荷载流子。与真空管相比，晶体管通常更小，操作所需的功率也更少。某些真空管在非常高的工作频率或高工作电压下比晶体管具有优势。许多类型的晶体管由多家制造商按照标准化规格制造。