William Shockley 宣布了结型晶体管的发明。

双极结型晶体管 (BJT) 是一种使用电子和电子空穴作为电荷载流子的晶体管。相反，诸如场效应晶体管的单极晶体管仅使用一种电荷载流子。双极晶体管允许在其一个端子注入小电流，以控制在端子之间流动的更大电流，从而使器件能够放大或切换。

BJT 使用两种半导体类型（n 型和 p 型）之间的两个结，它们是材料单晶中的区域。结可以用几种不同的方式制成，例如在生长时改变半导体材料的掺杂，通过沉积金属颗粒以形成合金结，或通过诸如将 n 型和 p 型掺杂物质扩散到水晶。结型晶体管卓越的可预测性和性能迅速取代了最初的点接触晶体管。扩散晶体管以及其他组件是用于模拟和数字功能的集成电路的元件。数百个双极结型晶体管可以以非常低的成本在一个电路中制造。

双极晶体管集成电路是一代大型机和微型计算机的主要有源器件，但现在大多数计算机系统都使用依赖于场效应晶体管的集成电路。双极晶体管仍用于信号放大、开关和数字电路中。专用类型用于高压开关、射频放大器或大电流开关。

小威廉·布拉德福德·肖克利（William Bradford Shockley Jr.，1910 年 2 月 13 日 - 1989 年 8 月 12 日）是美国物理学家和发明家。他是贝尔实验室的一个研究小组的经理，其中包括约翰巴丁和沃尔特布拉顿。这三位科学家因“对半导体的研究和晶体管效应的发现”而共同获得了 1956 年的诺贝尔物理学奖。

部分由于 Shockley 在 1950 和 1960 年代尝试将一种新的晶体管设计商业化，加利福尼亚的“硅谷”成为电子创新的温床。在他的晚年，在斯坦福大学担任电气工程教授期间，肖克利成为了优生学的支持者。 2019 年发表在《情报》杂志上的一项研究发现，在 55 名受访者中，他是最具争议的（仅次于 Arthur Jensen）的情报研究员。